La aparición del magnetismo en nanopartículas («quantum dots») de materiales que normalmente no son magnéticos es considerado como uno de los grandes descubrimientos de la nanotecnología. Nanopartículas que se comportan como imanes permanentes (ferromagnéticas) para memorias de estado sólido basadas en nanoimanes. Muchos investigadores lo creen así. Puede que estén completamente equivocados. Un estudio reciente ha mostrado que el magnetismo en estas nanopartículas es debido a los elementos químicos que se ligan a sus bordes. Han estudiado nanopartículas de cadmio-selenio (CdSe) y han observado que son paramagnéticos (su magnetismo inducido es sólo temporal) y no ferromagnéticos (con magnetismo permanente) como se había afirmado en estudios anteriores. Al no ser imanes permanentes, su utilidad en memorias magnéticas de altísima escala de integración se ve muy mermada. Nos lo cuentan brevemente en «Chemistry: Mini magnets,» Nature 459: 302-303, 21 May 2009 , haciéndose eco del artículo técnico Robert W. Meulenberg et al. «Evidence for Ligand-Induced Paramagnetism in CdSe Quantum Dots,» J. Am. Chem. Soc. 131 : 6888–6889, May 5, 2009 .
Las nanopartículas semiconductoras son extremadamente pequeñas, por ejemplo, las de CdSe tienen un radio medio entre 0.13 y 0.15 nanómetros. Estudios previos han mostrado que muchas nanopartículas exhiben un comportamiento ferromagnético en forma nanocristalina, como las de oro (Au, metal 5d9) . ¿Por qué si en forma normal no lo hacen? Se han propuesto diferentes mecanismos físicos para explicar estas propiedades pero no es fácil explicar el porqué. Ciertos estudios atribuyen estas propiedades magnéticas a defectos o errores en el experimento. Lo que se piensa que es un nanocristal puro en realidad no lo es y está ligado a impurezas de origen químico. El nuevo estudio, si se confirma, muestra de forma conclusiva que el magnetismo en las nanopartículas de CdSe se puede manipular (inducirlo y destruirlo) utilizando dopantes químicos, mostrando un comportamiento paramagnético pero no ferromagnético.
Lo dicho, si se confirma este estudio, las ilusiones de muchos por obtener memorias de estado sólido de ultraalta escala de integración se pueden esfumar. ¿A alguien se le ocurrirá como superar esta barrera?