Publicado en Science: El joven científico español Tomás Palacios entrevistado en la revista Science

La meteórica carrera científica del jovensísimo físico ingeniero de telecomunicaciones español Tomás Palacios (1978-), actualmente en el MIT, EEUU, va viento en popa (recientemente recibió el National Science Foundation (NSF) CAREER Award, July 2009). Le entrevistan en detalle en uno de los artículos del número especial sobre nuevas tecnologías de transistores (el número de 26 de marzo de 2010) de la prestigiosa revista Science. Robert F. Service ha escrito un artículo que revisa el estado actual sobre los dispositivos electrónicos semiconductores basados en nitruros. Dicho artículo se basa en un resumen de una entrevista a Tomás Palacios sobre estas tecnologías. En lugar de entrevistar a Nakamura, el creador del led azul que se utiliza en la tecnología Blu-Ray, basado en nitruro de galio (GaN), Service prefiere entrevistar a Tomás que junto a su grupo en el MIT desarrolló un transistor de alta mobilidad electrónica basado en AlGaN/GaN, capaz de amplificar señales hasta los 300 GHz (la tecnología de los teléfonos móviles actual utiliza de 1 a 2 GHz). Una gran noticia para la ciencia y técnica españolas, aunque provenga de un compatriota emigrado a los EEUU. Recomiendo a todos los que tengan acceso a Science la lectura del artículo de Robert F. Service, “Nitrides Race Beyond the Light,” News, Science 327: 1598-1599 26 March 2010.

Palabras de Tomás Palacios en Science

“It’s a very exciting time for nitride electronics, and the performance is increasing very fast,” says Tomás Palacios.

Palacios says that “in contrast to most other semiconductors, the electronic behavior of nitrides can be tuned over a wide range.”

“This gives us a high flexibility to design new optoelectronic and electronic devices,” Palacios says.

Nitride high-frequency transistors are key to making amplifiers for satellite communications, radar devices, and cell phone base stations, Palacios says, because they are heat-tolerant, can send out large amounts of power, and can be made very small. In the March issue of IEEE Electron Device Letters, Palacios and colleagues report making the first-ever AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors that can amplify signals at a frequency of 300 billion times per second, or 300 gigahertz. Today’s cell phone base stations use amplifiers that work at a rate of about 1 to 2 GHz. So if the nitrides can be made to work as reliably, they could dramatically increase the speed of wireless communications. And the progress is not likely to end soon. “We think we are far from the limit,” Palacios says.

Como ya sabéis los lectores habituales de este blog, desde aquí le tenemos mucha admiración a Tomás y seguimos puntualmente sus logros más destacados. También en este blog “Tan fácil como tocar y pegar o cómo depositar capas monoatómicas de grafeno sobre silicio y óxido de silicio utilizando cobre,” 7 Mayo 2009, y “La meteórica carrera de Tomás Palacios y el transistor de grafeno ultrarrápido,” 4 Mayo 2009.


2 Comentarios

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DavidDavid

Tomás Palacios estudió Ingeniería de Telecomunicaciones no Física 🙂
Es un orgullo que un compañero de carrera llegue tan alto.

emulenewsemulenews

David, touché. No sé por qué pero siempre veo a Tomás como físico en lugar de como “teleco” (para los interesados su C.V.). Pido perdón a todos los ingenieros de telecomunicación por mi error, a ver si me acuerdo para la próxima vez.

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