La mayoría de los ordenadores actuales utilizan microprocesadores con tecnología basada en transistores de efecto de campo FET de tipo MOS (metal-óxido-semiconductor). La tecnología microelectrónica más utilizada en la actualidad es la CMOS. El parámetro característico de un transistor MOS es la longitud del canal. Hasta hace poco se pensaba que era imposible bajar de una 1 micra para la longitud del canal, pero actualmente es fácil encontrar procesadores (los últimos de Intel) con 0,13 y hasta 0,08 micras (unos 80 nanómetros). La cuestión es, ¿se puede fabricar un transistor con una longitud de canal de pocos nanómetros? La física del estado sólido estándar no lo permite (requiere que por el canal pase un flujo de miles de electrones). Sin embargo, la nanotecnología ofrece varias posibilidades, siendo la más prometedora los transistores de nanotubos. Xinran Wang et al. «Room-Temperature All-Semiconducting Sub-10-nm Graphene Nanoribbon Field-Effect Transistors,» Phys. Rev. Lett. 100, 206803 ( 2008 ), presentan los transistores de efecto de campo basados en canal de nanotubos de menos de 10 nanómetros (sí, 0,01 micras), que tienen bastantes ventajas respecto a otros nanotransistores basados en nanotubos permitiendo todo tipo de dispositivos semiconductores. La tecnología GNFET dará bastante que hablar en el futuro.

Los transistores de efecto de campo FET basados en tecnología del grafeno son una de las tecnologías más prometedoras a la hora de sustituir a los transistores FET de los procesadores actuales. Los autores del artículo, por primera vez, han logrado fabricar con esta tecnología transistores con longitud de canal menor de 10 nm. La figura de abajo muestra la gran linealidad de las curvas de caracterización de estos nuevos transistores. La fabricación masiva de este tipo de transistores tardará unos años en llegar pero por ahora se encuentran entre las tecnologías más prometedoras.