Un diodo LED nanoestructurado capaz de emitir luz con cualquier color del arcoiris

Por Francisco R. Villatoro, el 16 junio, 2011. Categoría(s): Ciencia • Física • Nanotecnología • Noticias • Physics • Science

Piensa en un diodo LED. Te lo imaginas rojo, verde, azul, o incluso capaz de emitir en dos colores, rojo y verde. Pero un diodo LED capaz de emitir en cualquier color del arcoiris parece imposible, pero unos investigadores coreanos han logrado lo imposible. Un diodo LED microestructurado formado por un conjunto de micropivotes nanoestructurados de nitruro de galio (GaN) capaz de emitir en cualquier color del espectro, desde el rojo al azul, pasando por el amarillo y el verde, que cambia de color de forma continua, con alto brillo y un consumo energético bajo. Otro ejemplo más de que la nanotecnología está haciendo posible lo que parece imposible. ¿Para qué servirán estos LEDs? Obviamente su aplicación natural son las pantallas (displays) de dispositivos móbiles. El artículo técnico es Young Joon Hong et al., «Visible-Color-Tunable Light-Emitting Diodes,» Advanced Materials, published online 3 JUN 2011; me he enterado gracias a «Photonics: Rainbow from a single LED,» Research Highlights, Nature 474: 254, 16 June 2011.

La figura de arriba muestra el proceso de fabricación de estos LEDs. No entraré en detalles técnicos, pero muchos sabéis que tengo cierto cariño hacia lo nanoestructurado y me encantan estas figuras con microscopio electrónico de dispositivos nanotecnológicos. Los micropivotes de GaN tienen una longitud media de 520 nm, un diámetro de 220 nm y están separados los unos de los otros por una distancia de unos 550 nm (recuerda que nm significa nanómetros). Las paredes laterales de los micropivotes y la parte superior (pico) están nanoestructurados, formados por capas alternas de InxGa1-xN (pozo cuántico) y GaN (barrera cuántica). La parte superior está formada por capas alternas de InxGa1-xN y GaN con un grosor de 8±2 nm y 22±3 nm, respectivamente. Las caras laterales tienen capas alternas de InxGa1-xN y GaN con un grosor de 1,4±0,3 nm y 2,2±0,3 nm, respectivamente.



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Por Francisco R. Villatoro, publicado el 16 junio, 2011
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